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DMP58D0LFB
2.5
2
0.3
0.25
0.2
1.5
1
0.5
I D = 1mA
I D = 250μA
0.15
0.1
0.05
T A = 25°C
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125
150
0
0.4
0.6 0.8 1 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
100
35
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 150°C
30
C ISS
25
10
T A = 125°C
T A = 85°C
20
15
T A = 25°C
10
5
C RSS
C OSS
1
0
5 10 15 20 25 30
0
0
-4
-8
-12
-16
-20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
-I D W =1ms
1
R DS(ON)
-I D (A) @P W =100μs
(A) @P
Limited
-I D W =1s
-I D W =100ms
0.1
0.01
-I D (A) @ DC
-I D (A) @P W =10s
(A) @P
(A) @P
-I D (A) @P W =10ms
0.001
T J(MAX) = 150 ° C
T A = 25 ° C
Single Pulse
-I D (A) @
P W =10μs
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
DMP58D0LFB
Document number: DS35206 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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